收藏本站
型号 SI5403DC-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
SI5403DC-T1-GE3 PDF
代理商 SI5403DC-T1-GE3
产品目录绘图 DC-T1-E3 Series 1206-8
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 30 毫欧 @ 7.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1340pF @ 15V
功率 - 最大 6.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装 1206-8 ChipFET?
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI5403DC-T1-GE3TR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI5404BDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
SI5404BDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
SI5404BDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
SI5404BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
SI5406CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
SI5406CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
SI5406CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
SI5406DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
SI5406DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
SI5406DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
SI5406DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
SI5414DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 1206-8
SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V PPAK CHIPFET
SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V PPAK CHIPFET